PH-ISFET

作品数：24被引量：13H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
相关作者：韩泾鸿孙红光夏善红丁辛芳王贵华更多>>
相关机构：哈尔滨工业大学东南大学中国科学院电子学研究所中国科学院更多>>
相关期刊：《传感技术学报》《中国机械工程》《东南大学学报（自然科学版）》《仪器仪表学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
聚合物在pH-ISFET研究中的应用
《传感器与微系统》2007年第4期1-3,共3页汪祖民 韩泾鸿 任振兴 陈绍凤 夏善红 
国家自然科学基金资助项目(90307014)
聚合物具有许多无机物没有的特性,已被越来越多地应用到pH-ISFET中,主要体现在4个方面,即pH敏感膜、pH钝化膜、结构材料及封装材料。在介绍pH-ISFET工作机理的基础上,分析了其对功能薄膜的要求,总结、比较了各种用于pH-ISFET的聚合物的...
关键词：离子敏场效应管 敏感膜 钝化膜 聚合物 
基于Ppy敏感膜的pH-ISFET研制
《仪器仪表学报》2006年第z2期1065-1066,共2页汪祖民 孙红光 韩泾鸿 边超 陈绍凤 夏善红 
国家自然科学基金(90307014)
研制了一种采用0．35μm标准CMOS工艺制造的,集成ISFET／REFET及其信号处理电路于一体的集成化芯片系统(SOC)。其中ISFET敏感膜为采用电化学法制备的导电聚合物Ppy(Polypyrrole,聚吡咯),通过对各种条件的优化,最终得到了pH响应为56mV／p...
关键词：离子敏场效应管 聚吡咯 敏感膜 集成化芯片系统 
基于pH-ISFET片上系统的研究被引量：2
《中国机械工程》2005年第z1期176-178,共3页孙红光 韩泾鸿 魏金宝 夏善红 
国家自然科学基金资助重点项目(90307014)
采用标准CMOS工艺实现了基于pH-ISFET微传感器与读出电路的单芯片集成,该芯片包括差分结构ISFET/REFET传感器、金属准参比电极、恒流源和前级读出电路.芯片采用商用0.35μm,4-金属和2-多晶硅标准CMOS工艺流片,整个芯片面积2mm×2.5mm,...
关键词：ISFET REFET SOC CMOS 
pH-ISFET的温度特性及其补偿的讨论被引量：2
《辽宁工学院学报》2002年第4期13-15,25,共4页冯秀清 石琳 周前能 
p H- ISFET的温漂是影响测量精度的重要参数 ,本文对其温度特性进行了讨论 。
关键词：PH-ISFET 温度特性 离子敏场效应晶体管 温漂 温度补偿 测量精度 
Si_3N_4/SiO_2 栅 pH-ISFET 传感器的设计与模型
《东南大学学报（自然科学版）》1997年第6期103-108,共6页丁辛芳 
提出了一种含微参比电极和择优差分补偿单元的背面引线ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的新结构，实现了敏感元和信号处理电路的完全隔离；基于ＳＤＢ／ＳＯＩ材料和硅微机械加工技术，研制成了集成ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器；讨论了含两种类型表...
关键词：PH-ISFET 传感器 表面基 敏感特性 化学传感器 
新型微流通池pH-ISFET集成传感器的研制被引量：1
《应用科学学报》1997年第1期75-81,共7页牛蒙年 丁辛芳 
报道了一种新型微流通池ｐＥ－ＩＳＦＥＴ集成传感器，该集成传感器采用常规ＩＣ工艺、微加工技术和键合技术，实现微流通池、四对长臂式ＩＳＦＥＴ／ＲＥＦＥＴ传感器（差分测量用）和Ｔｉ／Ａｕ膜伪参考电极芯片一体化结构，芯片面积...
关键词：传感器 微流通池 pH-ISFET传感器 流动注入分析 
新型微流通池pH－ISFET集成传感器
《电子器件》1996年第3期154-158,共5页丁辛芳 
设计与制备了带Ｔｉ／Ａｕ膜参考电极的长臂式ｐＨ－ＩＳＦＥＴ集成传感器与微流通池。在静态和流动分析系统测量中表明：由蠕动泵驱动的待测液流动极畅，且试样量极少，响应速度快。
关键词：pH-ISFET集成传感器 微流通池 FIA系统 
pH－ISFET传感器及其测量方法研究
《固体电子学研究与进展》1995年第1期50-54,共5页牛蒙年 袁璟 林崴 
在对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器参数及其输出特性分析的基础上，讨论了四种测量ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的模式和适用条件，以及实现差分测量的简单方法。在ＩＳＦＥＴ／ＲＥＦＥＴ差分对结构测量中，以金膜作为辅助电极取代传统的甘汞参考...
关键词：PH-ISFET 传感器 测量方法 差分电路 ISFET/REFE 
pH－ISFET　输出时漂特性的研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1994年第12期838-843,共6页钟雨乐 赵守安 刘涛 
广东省自然科学基金
本文对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ恒流输出时漂特性进行了一系列实验研究，获得时漂随器件浸泡时间的变化规律，指出造成时漂的原因之一，是敏感膜水化层带有负电荷，使器件出现附加阈值电压上ΔＶＴ（ｔ），而水化层厚度随浸泡时间而增加，造成...
关键词：PH-ISFET 时漂特性 Si3N4膜 
集成pH－ISFET／压力传感器的研究
《固体电子学研究与进展》1994年第3期250-254,共5页丁辛芳 俞海明 
基于ＳＤＢ／ＳＯＩ材料和硅微机械加工技术，提出了一种含微参比电极和择优差分补偿单元的背面引线ＰＨ－ＩＳＦＥＴ／压力传感器的新结构。并且设计了高稳定的可调芯片自恒温系统，以减少硅材料对温度敏感的效应。这种结构既方便地实...
关键词：PH-ISFET 集成传感器 压力传感器 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部