pH-ISFET的温度特性及其补偿的讨论  

Discussions on the Temperature Characteristics and Compensations of pH-ISFET

作　　者：冯秀清[1] 石琳[1] 周前能[2] 

机构地区：[1]辽宁工学院信息科学与工程系,辽宁锦州121001 [2]哈尔滨工业大学,黑龙江哈尔滨150000

出　　处：《辽宁工学院学报》2002年第4期13-15,25,共4页Journal of Liaoning Institute of Technology(Natural Science Edition)

摘　　要：p H- ISFET的温漂是影响测量精度的重要参数 ,本文对其温度特性进行了讨论 。In this paper,discussions are made of the temperature characteristics of pH ISFET,and several temperature compensation methods are presented.

关 键 词：PH-ISFET 温度特性 离子敏场效应晶体管 温漂 温度补偿 测量精度 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学] TN32