场效应型氢离子敏传感器测量方法的实验研究  

Experimental Investigation of Operating Modes of H^+-ion Sensitive FET Sensor

作　　者：丁辛芳[1] 牛蒙年[1] 

机构地区：[1]东南大学微电子中心,210096

出　　处：《电子测量与仪器学报》1995年第2期32-37,共6页Journal of Electronic Measurement and Instrumentation

摘　　要：基于场效应型红离子敏传感器（H+－ISFET）参数及电流-电压特性，归结出四种H+－ISFET传感器的四种测量工作模式，从应用角度讨论了它们的适用条件以及实现差动输出测量的简单方法。实验结果表明，由H+－ISFET／REFET对管构成的差动输出电路具有较好的共模抑制能力和H+离子敏感性能。Based on the H+-ion sensitive FET(H+-ISFET) sensor's parameters and itsI-V characteristic, four kinds of operation modes and their tenable condition are discussedand simpler differential sensing circuits are given. Experimental results show that H+-IS-FET/REFET pair differential circuit has good H+-ion sensitive properties and common moderejection capability.

关 键 词：氢离子敏传感器 测量模式 差动输出 共模抑制 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置] TN379[自动化与计算机技术—控制科学与工程]