离子敏场效应晶体管  

Ion-Sensitive Field-Effect Transistors

作　　者：丁辛芳[1] 牛蒙年[1] 

机构地区：[1]东南大学微电子中心

出　　处：《传感器技术》1995年第4期1-6,共6页Journal of Transducer Technology

摘　　要：近年来对基于ＭＯＳ技术制造的离子散场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）的特性研究做了大量的工作。综述了ＩＳＦＥＴ器件（尤其是ｐＨ－ＩＳＦＥＴ）在敏感机理、集成化、封装和应用等方面的研究状况与新进展。Recently much work has been done to characterize Ion-Sensitive Field-Effect Transistors(ISFET) based on MOS technology. The start-of-art and new development of ISFET(particularly in pH-ISFET sensors) in mechanism, integratigation,encapsulation and application ect, are described.

关 键 词：ISFET器件 敏感机理 离子敏 场效应晶体管 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]