在220K温度下工作的高性能二维中波红外Hg_(1-x)Cd_xTe列阵  

作　　者：高国龙 

出　　处：《红外》2005年第4期31-31,共1页Infrared

摘　　要：基于用金属有机汽相外延工艺生长的Hg1-xCdxTe的红外探测器可以设计成具有很小的暗电流，即使当它们在200K以上温度下工作时，也是这样．这些小暗电流与用f／2在200K温度下获得的背景限性能是一致的．然而，实际上这种探测器具有较高的1／f噪声。

关 键 词：HG1-XCDXTE 中波红外 温度 性能 列阵 二维 红外探测器 1/f噪声 外延工艺 金属有机 暗电流 工作时 

分 类 号：TN21[电子电信—物理电子学]