三种SOI材料工艺的电气和辐射特性  

作　　者：Wade A.Krull 倪沛然 

机构地区：[1]哈里斯半导体公司

出　　处：《微电子学》1989年第5期84-91,共8页Microelectronics

摘　　要：近来,人们正在开发许多种绝缘体上硅膜(SOI)材料工艺。这些工艺的每种电气或物理特性都会影响其潜在应用。本文描述了哈里斯半导体公司开发的三种SOI材料工艺的特性研究,即SIMOS,按比例缩小介质隔离及圆片粘合工艺。本文还评论了这些材料质量的现状,报道了制成的典型CMOS器件的电气及辐射的响应特性,并评述了这三种工艺的生存能力。

关 键 词：SOI材料 电气 辐射 特性 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]