采用硅片粘合和内向腐蚀法制作的CMOS/SOI器件的辐射响应  

作　　者：L.J.Palkuti 武俊齐 

出　　处：《微电子学》1989年第5期70-74,共5页Microelectronics

摘　　要：研究了采用硅片粘接和先用金刚石研磨、然后用非接触抛光的腐蚀方法(BE-SOI)制作薄膜SOI的制造工艺和这种膜的缺陷特性。制作了一些MOS器件,并测试了它们在辐射前后的电特性。采用TEM进行的分析表明。、这种BESOI膜无缺陷。CMOS器件具有很高的迁移率和很低的漏电流(小于1.0pA/微米)。这些器件的上表面和边缘的氧化层的辐射响应与体硅器件相近。在10兆拉德(SiO_2)剂量的辐射下,正电荷俘获和界面陷阱产生分别为-0.8和0.8V。

关 键 词：硅片粘合 内向腐蚀 CMOS/SOI器件 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]