CMOS/SOI器件

作品数：8被引量：8H指数：1
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相关期刊：《微电子学》《半导体技术》《微电子学与计算机》《Journal of Semiconductors》更多>>
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部分耗尽PD CMOS/SOI器件SEU模型分析
《微电子学与计算机》2010年第12期138-141,共4页贺威 张正选 
通过计算机模拟分析CMOS/SOI器件中单粒子效应的影响,采用二维模拟软件MEDICE,建立了器件发生单粒子效应时内部电荷的分布模型.利用电荷分布模型建立了CMOS/SOI器件在入射不同LET值时的离子与器件中瞬态电流的关系曲线;并建立了离子入...
关键词：单粒子翻转 绝缘体上硅 模型 
环栅结构CMOS/SOI器件SPICE模型研究被引量：1
《半导体技术》2010年第6期542-545,共4页贺威 张正选 
建立了环栅结构的CMOS/SOI器件的SPICE模型,可以对抗辐照设计中环栅结构的CMOS/SOI器件计算其等效宽长比,将环栅器件转换为等效宽度和长度的条栅器件;以及对体接触电阻等其他受影响的SPICE模型参数做出调整,使其电学特性模拟达到最准确...
关键词：环栅 绝缘体上硅 SPICE模型 宽长比 体接触 
非规则栅结构PD CMOS/SOI器件SPICE模型参数分析
《微电子学》2010年第3期411-415,共5页贺威 张正选 
针对抗辐照设计中特殊非规则条栅栅结构的CMOS/SOI器件,分析其SPICE模型参数,对源漏电阻、电容、体接触电阻等其他模型参数作出调整,建立非标准器件的完整精确模型。设计制作了多种不同非标准栅结构的PD CMOS/SOI晶体管,并采用新的SPIC...
关键词：非规则栅 绝缘体上硅 SPICE模型 体接触 
45ps的超高速全耗尽CMOS/SOI环振
《Journal of Semiconductors》2000年第8期830-832,共3页刘新宇 孙海峰 海潮和 吴德馨 
亚微米全耗尽 SOI( FDSOI) CMOS器件和电路经过工艺投片 ,取得良好的结果 ,其中工作电压为 5V时 ,0 .8μm全耗尽 CMOS/ SOI1 0 1级环振的单级延迟仅为 45ps;随着硅层厚度的减薄和沟道长度的缩小 ,电路速度得以提高 ,0 .8μm全耗尽 CMOS/...
关键词：CMOS/SOI器件 环振 集成电路 
采用硅片粘合和内向腐蚀法制作的CMOS/SOI器件的辐射响应
《微电子学》1989年第5期70-74,共5页L.J.Palkuti 武俊齐 
研究了采用硅片粘接和先用金刚石研磨、然后用非接触抛光的腐蚀方法(BE-SOI)制作薄膜SOI的制造工艺和这种膜的缺陷特性。制作了一些MOS器件,并测试了它们在辐射前后的电特性。采用TEM进行的分析表明。、这种BESOI膜无缺陷。CMOS器件具...
关键词：硅片粘合 内向腐蚀 CMOS/SOI器件 
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