区熔再结晶SOI技术  

作　　者：Bor-Yeu Tsaur 张晓松 

出　　处：《微电子学》1989年第5期37-42,共6页Microelectronics

摘　　要：前言 特征尺寸不断缩小,每块芯片上的元件数目不断增加,这是硅集成电路(IC)发展的基本趋势。目前商品化VLSI芯片的最小特征尺寸大约为1μm,每块芯片上的元件数大约为100万个。在快到1990年的时候,我们将能看到亚微米特征尺寸和数百万至数千万个元件的芯片出现。随着器件的尺寸及器件之间的间隔缩小到1μm以下,我们需要采用一种新的器件隔离技术,来防止相邻器件之间通过硅衬底出现寄生耦合现象。

关 键 词：SOI技术 区溶再结晶 半导体材料 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]