适合制作SOI结构的多孔硅技术  

作　　者：Sylvia S.Tsao 郑闽 

出　　处：《微电子学》1989年第5期47-51,共5页Microelectronics

摘　　要：SOI(绝缘体上硅)衬底适合用来制作高性能器件。在制作SOI衬底方面最有前途的技术是那些以多孔硅氧化为基础的技术。多孔硅具有一系列独特的材料性能,适用于各种不同的SOI加工技术。

关 键 词：多孔硅 SOI 制备 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]