多次氧注入在制作SOI双极集成电路方面的应用  

作　　者：Dale G.platteter 郭树田 

机构地区：[1]海军武器装备中心

出　　处：《微电子学》1989年第5期14-18,共5页Microelectronics

摘　　要：本文介绍用多次(低剂量)注氧的SOI衬底制作双极集成电路得到的辐射响应的改进情况。用这种衬底制作的双极74ALS00门电路与相同的体硅电路相比,对总剂量和剂量率辐射响应有所改进。

关 键 词：集成电路 双极 SOI技术 注氧 

分 类 号：TN431[电子电信—微电子学与固体电子学]