氧注入绝缘体上硅膜的低温特性和光传导  

作　　者：George Papaioannou 李秉忠 

出　　处：《微电子学》1989年第5期23-27,共5页Microelectronics

摘　　要：通过比较在低温下避光,光照、衬底加偏置三种情况下进行的电导率和霍尔效应测量、分析了氧注入绝缘体上硅材料(SIMOX)。发现在 1300℃以上进行高温退火处理的SIMOX膜,其质量比在1150～1200℃下常规退火的SIMOX膜有 很大的提高。通过研究载流子的迁移率和寿命特性,杂质离子化作用,掺杂补偿,膜沾 污和散射机理等,对SIMOX膜进行了分析。发现在低于60K时,跃迁传导占优势。

关 键 词：绝缘体上硅膜 特性 光传导 氧注入 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]