氧注入

作品数：13被引量：3H指数：1
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沿面放电活化空气用于亚硫酸铵氧化被引量：3
《环境工程学报》2015年第8期3965-3969,共5页韩长民 张轶 商克峰 吴森 李杰 吴彦 
在主流湿法烟气脱硫工艺中,采用强制氧化法对亚硫酸盐产物进行氧化,该方法存在亚盐氧化速率低、耗能高、设备投资大等问题。本研究采用沿面放电等离子体将空气预活化为富含活性氧的氧化气体,替代空气以提高亚硫酸盐的氧化效率。以亚硫...
关键词：沿面放电等离子体 活性氧注入 亚硫酸盐 氧化 影响因素 
应用ICP-AES表征高剂量氧注入过程中的金属污染
《Journal of Semiconductors》2003年第8期813-816,共4页马芙蓉 李雪春 梁宏 吴虎才 李晓民 陈如意 罗晏 卢志恒 
国家自然科学基金 (批准号 :699760 0 5 );北京市科委(合同号 :95 5 0 3 12 0 0 0 )资助项目~~
研究了采用感应耦合等离子体 原子发射光谱技术表征高剂量氧注入单晶硅制备SIMOX SOI材料过程中金属杂质污染的有效性 .同时研究了采用强酸清洗、加SiO2 膜覆盖等方法对降低污染程度的效果 .利用ICP技术可以对大面积或整个硅片进行采样 ...
关键词：SOI材料 金属污染 感应耦合等离子体技术 
氧注入损伤对6HSiC光学性质的影响
《功能材料与器件学报》1999年第3期175-180,共6页王连卫 黄继颇 林成鲁 郑玉祥 
国家自然科学基金;上海市启明星计划资助课题
ＳｉＣ是一种重要的宽禁带半导体材料，在高温、高压、高功率及高频器件方面有重要的应用前景。ＳｉＣ中的离子注入无论在基础研究还是在器件工艺中都具有重要的意义。本文研究了ＳｉＣ 的注入（７０ｋｅＶ，剂量５ ×１０１３ 至５ ×...
关键词：注入损伤 光学性质 碳化硅 半导体 6H-SIC 
SOI／SIMOX材料导电类型反型的研究
《微电子学》1996年第3期153-155,共3页温梦全 周彬 
采用大剂量氧离子注入（１７０ｋｅＶ，１．８×１０１８＋／ｃｍ２）ｐ型单晶硅，高温退火（１３００℃，６ｈ）后形成ＳＯＩ－ＳＩＭＯＸ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ－ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩｍｐｌａｎｔａｔｌｏｎ...
关键词：半导体材料 SOI SIMOX 单晶硅 氧注入 
SIMOX上外延层的TEM研究
《电子显微学报》1993年第2期147-147,共1页倪如山 朱文化 林成鲁 
氧注入隔离(SIMOX:Separation by IMplanted OXygen)是绝缘层上形成单晶硅(SOI:Silicon onInsulator)结构的最有前途的技术。制备工艺简单,可获得绝缘层上高质量的单晶硅膜。由于SIMOX衬底与体材料硅相比有许多潜在的优点,如有较高的开...
关键词：氧注入隔 砷化镓 外延 薄膜 TEM 半导体 
注入温度对氧注入制成的SOI膜质量的影响
《山东大学学报（自然科学版）》1990年第2期161-165,共5页董顺乐 丛培杰 
选择不同的靶温进行高能大剂量氧离子注入,并进行了高温退火。利用离子背散射技术、透射电子显微镜和掠角 x 射线衍射分析样片,发现:低温下注入能产生非晶层,退火后有多晶硅生成。提高靶温能有效地减小损伤,特别是440℃注入的样片经过...
关键词：SOI 离子注入 温度 背散射 氧离子 
多次氧注入在制作SOI双极集成电路方面的应用
《微电子学》1989年第5期14-18,共5页Dale G.platteter 郭树田 
本文介绍用多次(低剂量)注氧的SOI衬底制作双极集成电路得到的辐射响应的改进情况。用这种衬底制作的双极74ALS00门电路与相同的体硅电路相比,对总剂量和剂量率辐射响应有所改进。
关键词：集成电路 双极 SOI技术 注氧 
氧注入绝缘体上硅膜的低温特性和光传导
《微电子学》1989年第5期23-27,共5页George Papaioannou 李秉忠 
通过比较在低温下避光,光照、衬底加偏置三种情况下进行的电导率和霍尔效应测量、分析了氧注入绝缘体上硅材料(SIMOX)。发现在 1300℃以上进行高温退火处理的SIMOX膜,其质量比在1150～1200℃下常规退火的SIMOX膜有 很大的提高。通过研...
关键词：绝缘体上硅膜 特性 光传导 氧注入 
注入氧形成的SOI结构中氧分布的模拟
《Journal of Semiconductors》1989年第7期514-518,共5页阮刚 徐晨曦 俞强 
国家自然科学基金
我们提出了一个用于模拟SIMOX注入分布的经验公式,用此公式对某些氧注入分布进行了模拟,其结果与有关理论计算及实验值相比符合较好.我们的经验公式既有一定精度又形式简单,非常适合于作为VLSI全工艺模拟器中的一部份.
关键词：SIMOX 氧注入 注入分布 工艺模拟 
氧注入制成SOI材料的研究
《山东大学学报（理学版）》1989年第4期51-55,共5页董顺乐 丛培杰 刘家瑞 马瑞芬 
采用加热靶和少量氮离子注入制成了 SOI 材料,在1180℃、氮气保护下进行了2小时的退火。离子沟道背散射测量和电子通道花样观测结果表明:加热靶和少量氮离子注入能有效地改善顶部硅层的单晶质量.
关键词：离子注入 SOI 沟道 
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