云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 李晓民

李晓民: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：北京师范大学核科学与技术学院射线束技术与材料改性实验室更多>>; 发文主题：ICP-AES氧注入SOI材料高剂量金属污染更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金更多>>

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应用ICP-AES表征高剂量氧注入过程中的金属污染: 《Journal of Semiconductors》2003年第8期813-816,共4页马芙蓉李雪春梁宏吴虎才李晓民陈如意罗晏卢志恒; 国家自然科学基金 (批准号 :699760 0 5 );北京市科委(合同号 :95 5 0 3 12 0 0 0 )资助项目~~; 研究了采用感应耦合等离子体原子发射光谱技术表征高剂量氧注入单晶硅制备SIMOX SOI材料过程中金属杂质污染的有效性 .同时研究了采用强酸清洗、加SiO2 膜覆盖等方法对降低污染程度的效果 .利用ICP技术可以对大面积或整个硅片进行采样 ...; 关键词：SOI材料金属污染感应耦合等离子体技术