氧注入损伤对6HSiC光学性质的影响  

THE INFLUENCE OF OXYGEN IMPLANTATION ON THE OPTICAL CHARACTERISTICS OF 6H SiC

作　　者：王连卫[1] 黄继颇[1] 林成鲁[1] 郑玉祥[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室 [2]复旦大学物理系,上海200433

出　　处：《功能材料与器件学报》1999年第3期175-180,共6页Journal of Functional Materials and Devices

基　　金：国家自然科学基金;上海市启明星计划资助课题

摘　　要：ＳｉＣ是一种重要的宽禁带半导体材料，在高温、高压、高功率及高频器件方面有重要的应用前景。ＳｉＣ中的离子注入无论在基础研究还是在器件工艺中都具有重要的意义。本文研究了ＳｉＣ 的注入（７０ｋｅＶ，剂量５ ×１０１３ 至５ ×１０１５ｃｍ － ２） 损伤及其对ＳｉＣ光学性质的影响。研究表明，ＳｉＣ的表面形貌对离子注入极其敏感。剂量较低时，主要影响晶格缺陷吸收及杂质吸收（＜ ２．９ｅＶ），而在剂量较高时，对带间跃迁产生影响。ＳｉＣ是一种重要的宽禁带半导体材料，在高温、高压、高功率及高频器件方面有重要的应用前景。ＳｉＣ中的离子注入无论在基础研究还是在器件工艺中都具有重要的意义。本文研究了ＳｉＣ 的注入（７０ｋｅＶ，剂量５ ×１０１３ 至５ ×１０１５ｃｍ － ２） 损伤及其对ＳｉＣ光学性质的影响。研究表明，ＳｉＣ的表面形貌对离子注入极其敏感。剂量较低时，主要影响晶格缺陷吸收及杂质吸收（＜ ２．９ｅＶ），而在剂量较高时，对带间跃迁产生影响。Silicon carbide is an important wide band gap semiconductor for high temperature, high voltage, high power and high frequency devices. Ion implantation is an important aspect for both fundamental research and device applications. In this paper, oxygen ions, 70keV with doses ranging from 5×10 13 to 5×10 15 cm -2 , have been implanted into 6H SiC. The atomic displacement has been simulated using TRIM 94. The dielectric function obtained from spectroscopic ellipsometry was quite sensitive to damage of the surface. The extent of the damage behavior was also checked by Rutherford backscattering spectrometry, channeling and atomic force microscopy.

关 键 词：注入损伤 光学性质 碳化硅 半导体 6H-SIC 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学]