注入氧形成的SOI结构中氧分布的模拟  

Simulation of Oxygen Distribution in the Oxygen Implanted SOI Structure

作　　者：阮刚[1] 徐晨曦[1] 俞强 

机构地区：[1]复旦大学微电子学研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1989年第7期514-518,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：我们提出了一个用于模拟SIMOX注入分布的经验公式,用此公式对某些氧注入分布进行了模拟,其结果与有关理论计算及实验值相比符合较好.我们的经验公式既有一定精度又形式简单,非常适合于作为VLSI全工艺模拟器中的一部份.An emperieal formula to simulate the oxygen implanted distribution for SIMOX techniquehave been proposed.Using this formula,the simulation results are in good agreement with so-me experimental and former theoretical results. Our formula is both simple and accurate,which is suitable for using as a part of the VLSI complete process simulator.

关 键 词：SIMOX 氧注入 注入分布 工艺模拟 

分 类 号：TN307.3[电子电信—物理电子学]