温梦全

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供职机构：北京航空航天大学数学与系统科学学院更多>>
发文主题：SIMOXCMOS逻辑电路SOISIMOX材料半导体材料更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《北京航空航天大学学报》《微电子学》更多>>
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SOI/SIMOX-CMOS器件的研究
《北京航空航天大学学报》2001年第1期109-111,共3页温梦全 
北航理学院科研基金资助项目
研究SOI SIMOX(SiliconOnInsulation SeparationbyImplantedOxygen)材料及SIMOX CMOS器件 .高能大剂量 ( 1 70keV ,1 .5× 1 0 18 cm2 )氧离子注入到P型( 1 0 0 )单晶Si衬底 ,再经高温长时间 ( 1 30 0℃ ,6h)退火 ,形成SIMOX结构材料 ....
关键词：半导体材料 半导体器件 与非门电路 SOI SIMOX CMOS 
SOI／SIMOX材料导电类型反型的研究
《微电子学》1996年第3期153-155,共3页温梦全 周彬 
采用大剂量氧离子注入（１７０ｋｅＶ，１．８×１０１８＋／ｃｍ２）ｐ型单晶硅，高温退火（１３００℃，６ｈ）后形成ＳＯＩ－ＳＩＭＯＸ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ－ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩｍｐｌａｎｔａｔｌｏｎ...
关键词：半导体材料 SOI SIMOX 单晶硅 氧注入 
SIMOX样品导电类型反型的研究
《北京航空航天大学学报》1996年第2期214-217,共4页温梦全 周彬 
氧离子注入Ｐ型（１００）单晶硅形成ＳＩＭＯＸ样品，经俄歇电子能谱、扩展电阻仪测试，形成了ＳＯＩ结构；经霍尔测试仪测试，制备的ＳＩＭＯＸ样品表层硅膜反型为Ｎ型导电类型．ＳＩＭＯＸ样品的反型是硅中的氧施主所致，由近自由电...
关键词：离子注入 硅 P型 半导体 N型 施主 
SOI结构材料红外吸收光谱的研究
《北京航空航天大学学报》1994年第4期452-456,共5页温梦全 卢殿通 林敬与 唐荣奇 
用ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙ　Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ　Ｏｘｙｇｅｎ，即氧注入隔离）技术制备ＳＯＩ－ＣＭＯＳ用的ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　ＯｎＩｎｓｕ　ｌａｔｏｒ，即绝缘体上长单晶硅膜）样品；对ＳＯＩ样品红外吸收光...
关键词：硅膜 红外光谱学 郎伯定律 红外吸收光谱 
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