Ga As/Al Ga As量子级联激光器  

GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Lasers 

作　　者：刘俊岐[1] 路秀真[1] 郭瑜[1] 刘峰奇[1] 王占国[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第3期624-626,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号: 60136010);国家高技术研究发展计划(批准号: 2001AA311140);国家重点基础研究发展规划(批准号G20000683 02)资助项目~~

摘　　要：利用分子束外延方法生长了激射波长约为 9μm的 GaAs/Al0 45 Ga0 55 As量子级联激光器.条宽 35μm,腔长2mm的器件准连续激射温度最高达120K,81K下未经收集效率修正的峰值功率超过70mW.Growth of quantum cascade lasers based on GaAs/Al 0 45 Ga 0 55 As and operating at a wavelength of 9μm is reported.For a 2mm cavity length and 35μm ridge waveguide width,quasi continuous wave operation at 120K is achieved and output optical power without correction at 81K more than 70mW is demonstrated.

关 键 词：量子级联激光器 分子束外延 有源区 注入区 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]