A New Type of Photoelectric Response in a Double Barrier Structure with a Wide Quantum Well  

作　　者：周霞 郑厚植 

机构地区：[1]StateKeyLaboratoryforSuperlatticesandMicrostructures,InstituteofSemiconductors,ChineseAcademyofSciences,POBox912,Beijing100083

出　　处：《Chinese Physics Letters》2005年第5期1222-1224,共3页中国物理快报（英文版）

分 类 号：O471.1[理学—半导体物理]