10Gb/s EML Module Based on Identical Epitaxial Layer Scheme  

基于同一外延层结构的10Gb/s单片集成光发射模块(英文)

作　　者：孙长征[1] 熊兵[1] 王健[1] 蔡鹏飞[1] 田建柏[1] 罗毅[1] 刘宇[2] 谢亮[2] 张家宝[2] 祝宁华[2] 

机构地区：[1]清华大学电子工程系集成光电子学联合国家重点实验室,北京100084 [2]中国科学院半导体研究所集成光电子学联合国家重点实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第4期662-666,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60223001,60244001,60290084);国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA312190和2002AA31119Z);国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000 03 6601)资助项目~~

摘　　要：A 10Gb/s transmitter module containing an electroabsorption modulator monolithically integrated with a distributed feedback (DFB) semiconductor laser is fabricated using the identical epitaxial layer scheme.Gain-coupling mechanism is employed to improve the single mode yield of the DFB laser,while inductively coupled plasma dry etching technique is utilized to reduce the modulator capacitance.The integrated device exhibits a threshold current as low as 12mA and an extinction ratio over 15dB at -2V bias.The small signal modulation bandwidth is measured to be over 10GHz.The transmission experiment at 10Gb/s indicates a power penalty less than 1dB at a bit-error-rate of 10 -12 after transmission through 35km single mode fiber.利用同一外延层集成工艺方法制作了10Gb/s电吸收调制器/分布反馈(DFB)半导体激光器单片集成光发射模块.在器件中引入增益耦合机制以提高单模成品率,并采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术以降低调制器电容.集成器件阈值电流为12mA,在-2V偏置时的消光比为15dB,器件的小信号调制带宽超过10GHz.在10Gb/s 调制速率下经过35km单模光纤传输后,误码率为10-12时的功率代价小于1dB.

关 键 词：DFB lasers EA modulators photonic integrated circuit gain-coupling 

分 类 号：TN491[电子电信—微电子学与固体电子学]