云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 蔡鹏飞

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基于直接调制和外调制的高速半导体激光光源被引量：11: 《红外与激光工程》2008年第2期200-204,共5页罗毅徐建明黄缙孙长征熊兵蔡鹏飞; 国家自然科学基金(60723002;60536020;60390074);国家重点基础研究发展计划"973"(2006CB302800;2006CB921106);国家高技术研究发展计划"863"(2006AA03A105);北京市科委重大计划(D0404003040321)资助项目; 直接调制和外调制的半导体激光光源在现代光纤通信系统中有着重要的应用。首先介绍了应用于10 Gb/s接入网系统的直接调制AlGaInAs多量子阱DFB激光器。由于AlGaInAs量子阱的导带不连续性较大,因此基于该材料的半导体激光器具有良好的温...; 关键词：直接调制外调制 DFB激光器 EA调制器同一外延层结构单片集成

应用于40Gb/s高速热沉的匹配电阻研究: 《红外与毫米波学报》2007年第5期344-348,共5页张明俊孙长征蔡鹏飞熊兵罗毅; 国家自然科学基金(60536020;60390074);"973"重大国家基础研究计划(2006CB302801); 针对40Gb/s高速过渡热沉阻抗匹配的要求,对基于Ta2N薄膜的匹配电阻制作工艺进行了系统研究.根据过渡热沉的等效电路模型,分析了Ta2N薄膜电阻与传输线电极间接触电阻对高频反射特性的影响,并通过理论仿真确定了热沉匹配电阻的容差范围....; 关键词：阻抗匹配 Ta2N薄膜接触电阻比接触电阻率

无制冷高速直调1.5μm AlGaInAs-InP DFB激光器被引量：1: 《光电子．激光》2007年第6期666-668,共3页蔡鹏飞孙长征熊兵王健罗毅; 国家自然科学基金资助项目(60536020;60390074); 利用AlGaInAs-InP应变多量子阱(MQW)材料导带偏移量大的特点,制作了基于AlGaInAs-InP材料的无制冷脊波导分布反馈式(DFB)激光器。为提高器件调制速度,制作了2μm宽的脊波导结构,并在脊波导两侧填充1.5μm厚的SiO2层,从而有效降低器件寄...; 关键词：AlGaInAs-InP 分布反馈式(DFB)激光器无制冷直接调制带宽

应用于40Gb/s电吸收调制器的Al_2O_3高速热沉研究被引量：2: 《红外与毫米波学报》2006年第2期105-108,共4页田建柏熊兵王健蔡鹏飞孙长征罗毅; 国家自然科学基金(60244001;60223001和60290084);"863"高技术计划(2001AA312190和2002AA31119Z);"973"重点国家基础研究(G2000-03-6601)资助项目; 设计制作了面向40Gb／s电吸收调制器（EAM）的高速微波过渡热沉，并进行了EAM管芯级封装测试的验证．这种基于氧化铝（Al2O3）的热沉采用共面波导（CPW）传输线以实现低损耗微波传送，以及Ta2N薄膜电阻用于EAM的阻抗匹配，采用Ti／Cu／N...; 关键词：高速热沉电吸收调制器共面波导传输线薄膜电阻阻抗匹配

用于40Gb/s光电子器件的新型低成本硅基过渡热沉被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2005年第10期2001-2005,共5页熊兵王健蔡鹏飞田建柏孙长征罗毅; 国家自然科学基金(批准号:60244001;60223001和60290084);国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA312190和2002AA31119Z);国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036601)资助项目~~; 提出了一种新型低成本硅基过渡热沉,用以实现高达40Gb/s的高速光电子器件封装.采用高阻硅衬底作为热沉基底,制作出了0～40GHz范围内传输损耗小于0.165dB/mm的共面波导传输线.热沉中采用Ta2N薄膜电阻作为负载以实现器件的阻抗匹配,达到了...; 关键词：宽带硅基过渡热沉高速电吸收调制器高阻率硅衬底低损耗共面波导薄膜电阻

端面反射对集成光源高频特性的影响及其抑制被引量：2: 《光电子．激光》2005年第10期1178-1181,共4页蔡鹏飞熊兵王健田建柏孙长征罗毅; 国家自然科学基金资助项目(60244001;60223001;60290084);国家高技术研究发展"863"计划资助项目(2001AA311192);国家重点基础研究发展"973"规划资助项目(G2000-03-6601); 研究了分布反馈型半导体激光器(DFB-LD)与电吸收(EA)调制器集成光源中调制器端面残余反射对器件高频特性的影响及其消除。针对在DFB-LD/EA集成光源小信号调制响应曲线低频段观察到的异常起伏,测量了DFB-LD的强度噪声谱,比较了不同反向...; 关键词：集成光源分布反馈型半导体激光器(DFB-LD) 电吸收(EA)调制器强度噪声谱端面镀膜

10Gb/s EML Module Based on Identical Epitaxial Layer Scheme被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2005年第4期662-666,共5页孙长征熊兵王健蔡鹏飞田建柏罗毅刘宇谢亮张家宝祝宁华; 国家自然科学基金(批准号:60223001,60244001,60290084);国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA312190和2002AA31119Z);国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000 03 6601)资助项目~~; A 10Gb/s transmitter module containing an electroabsorption modulator monolithically integrated with a distributed feedback (DFB) semiconductor laser is fabricated using the identical epitaxial layer scheme.Gain-coupl...; 关键词：DFB lasers EA modulators photonic integrated circuit gain-coupling

硅基微结构制作及其在微分析芯片上的应用被引量：1: 《半导体光电》2004年第6期477-479,483,共4页孙洋钱可元韩彦军蔡鹏飞罗毅雷建都童爱军; 国家"973"计划项目 (G2 0 0 0 - 0 3 - 660 1 ) ;国家"863"计划项目 (2 0 0 1AA3 1 2 1 80 ); 　基于一种新的湿法刻蚀条件和新型的凸角补偿结构,以KOH溶液为腐蚀液,对单晶(100)Si材料进行了湿法刻蚀,获得了表面平整和凸角完整的刻蚀结果,制作了用于微模塑工艺的硅基阳模,并成功地用于聚甲基乙烯基硅氧烷微分析芯片的制作上。; 关键词：硅材料湿法刻蚀凸角补偿微分析芯片

光纤通信用半导体激光器被引量：1: 《中兴通讯技术》2002年第4期18-23,共6页罗毅王健蔡鹏飞孙长征; 半导体激光器是光纤通信用的主要光源,由于光纤通信系统具有不同的应用层次和结构,因而需要不同类型的半导体激光器。文章根据目前光纤通信系统的发展趋势,介绍几种典型的光纤通信用半导体激光器件———法布里-珀罗激光器、分布反馈半...; 关键词：光纤通信半导体激光器分布反馈布拉格反射器电吸收型调制器垂直腔面反射器

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