徐建明

作品数：5被引量：17H指数：2
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供职机构：清华大学电子工程系更多>>
发文主题：EA调制器DFB激光器半导体激光光源单片集成外调制更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《China Communications》《半导体光电》《红外与激光工程》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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基于反射光谱的单层抗反射膜的非在位膜厚精确控制被引量：1
《光电子．激光》2010年第10期1507-1510,共4页徐建明 熊兵 袁贺 孙长征 罗毅 
国家自然科学基金资助项目(60536020,60723002,50706022,60977022);国家“973”重大基础研究计划资助项目(2006CB302800,2006CB921106)
提出一种基于反射光谱分析的非在位膜厚控制技术,首先利用椭圆偏振光谱仪确定波长300～1 700 nm范围内的薄膜折射率,由此确定对应于特定波长(如1 550 nm)的最佳抗反射(AR)镀膜沉积条件。然后计算最佳AR镀膜厚度所对应的反射谱,得到相应...
关键词：膜厚控制 抗反射(AR)镀膜 反射光谱 等离子体增强化学气相淀积(PECVD) 
基于等离子体增强化学气相沉积技术的光电子器件多层抗反膜的设计和制作被引量：2
《物理学报》2010年第10期7239-7244,共6页袁贺 孙长征 徐建明 武庆 熊兵 罗毅 
国家自然科学基金(批准号:60536020;60723002;50706022;60977022);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB302800;2006CB921106)资助的课题~~
针对光电子器件端面抗反镀膜的要求,研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术的多层抗反膜的设计和制作.首先,对影响SiNx折射率的因素进行了实验研究,确定了具有大折射率差的SiO2/SiNx材料的PECVD沉积条件.根据理论计算分析,设...
关键词：抗反膜 等离子体增强化学气相沉积 二氧化硅/氮化硅多层膜 
应用于数字和模拟光通信的高速电吸收光调制器
《China Communications》2009年第3期72-76,共5页熊兵 徐建明 孙长征 王健 罗毅 
国家自然科学基金(60536020;60723002);国家重点基础研究发展计划"973"(2006CB302800;2006CB921106)等项目资助
半导体电吸收光调制器因其速度高、体积小、驱动电压低、可单片集成等优点,已成为光纤通信系统核心器件之一。面向数字通信系统,研制了InGaAsP/InP多量子阱基电吸收调制器/光放大器集成器件,其调制器实现了极低电容从而达到40GHz以上调...
关键词：电吸收型调制器 数字光通信 模拟光通信 光子集成 
BCB/InP基宽带低损耗共面波导微波传输线被引量：3
《半导体光电》2008年第5期733-736,740,共5页侯海燕 熊兵 徐建明 周奇伟 孙长征 罗毅 
国家自然科学基金项目(60536020,60723002);国家“973”计划项目(2006CB302800,2006CB921106);国家“863”计划项目(2006AA03A105);北京市科委重大计划项目(D0404003040321);清华大学电子系传信基金资助项目
面向高速行波电吸收（EA）调制器的需要，设计并制作了基于苯并环丁烯（BCB）聚合物／InP衬底的宽带（0～40GHz）、低损耗微波共面波导传输线。对共面波导结构开展仿真设计，分别对BCB材料厚度、InP衬底导电率和信号电极宽度等关键参数...
关键词：低损耗InP基微波波导 共面波导 苯并环丁烯 半绝缘InP衬底 
基于直接调制和外调制的高速半导体激光光源被引量：11
《红外与激光工程》2008年第2期200-204,共5页罗毅 徐建明 黄缙 孙长征 熊兵 蔡鹏飞 
国家自然科学基金(60723002;60536020;60390074);国家重点基础研究发展计划"973"(2006CB302800;2006CB921106);国家高技术研究发展计划"863"(2006AA03A105);北京市科委重大计划(D0404003040321)资助项目
直接调制和外调制的半导体激光光源在现代光纤通信系统中有着重要的应用。首先介绍了应用于10 Gb/s接入网系统的直接调制AlGaInAs多量子阱DFB激光器。由于AlGaInAs量子阱的导带不连续性较大,因此基于该材料的半导体激光器具有良好的温...
关键词：直接调制 外调制 DFB激光器 EA调制器 同一外延层结构 单片集成 
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