MSM光探测器直流特性的二维分析  

Analysis of MSM-PD’s DC Characteristics Using a Two Dimensional Numerical Method

作　　者：于弋川[1] 何建军 何赛灵[1] 邹勇卓[1] 

机构地区：[1]浙江大学光及电磁波研究中心现代光学仪器国家重点实验室,杭州310027 [2]Lightip Technologies,Inc.,Ottawa,ONK1K4R8,Canada

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第4期798-804,共7页半导体学报（英文版）

基　　金：浙江省自然科学基金资助项目(批准号:20044131095)~~

摘　　要：基于有限差分方法对金属半导体金属(MSM)光探测器进行了二维分析,得到有明确物理意义的模拟曲线和结论,并结合模拟结果对MSM光探测器的光电直流特性进行了分析.全部模拟工作都是基于半导体物理的基本微分方程完成的,这对于未来优化设计探测器的性能和结构有很大的意义.A 2D finite-difference method is developed to study a metal-semiconductor-metal photodetector(MSM-PD).The numerical simulation is based on the Poisson equation and continuity equations for electrons and holes.The distributions of the electrical field,the carriers and the current density in the MSM-PD are calculated,and the DC characteristics of the photodetector are analyzed.

关 键 词：MSM光探测器 有限差分 二维分析 直流 硅材料 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]