1V电源的CMOS能隙电压基准源  

A CMOS Bandgap Reference with 1V Supply

作　　者：盛敬刚[1] 陈志良[1] 石秉学[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第4期826-829,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：采用SMIC0.35μmCMOS工艺实现了一种可以工作在1V电源电压下的CMOS能隙基准源.测试表明,该电路可以工作在1～2.5V电源电压下,输出的基准电压可以稳定在约0.446V.在从室温到100℃的范围内,温度系数不超过3.6×10-5/K.A CMOS bandgap reference circuit which can operate at 1V supply is proposed.The proposed circuit is fabricated in SMIC0.35μm CMOS process.The measurament results show that the proposed circuit can generate 0.446V reference voltage in the rangeof1～2.5V supply.The temperature coefficient is less than 3.6×10-5/K from room temperature to 100℃.

关 键 词：低压 能隙基准源 CMOS模拟电路 

分 类 号：TN432.1[电子电信—微电子学与固体电子学]