能隙基准源

作品数：4被引量：9H指数：1
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典型双极能隙基准源的瞬时电离辐射效应分析
《微电子学》2014年第5期701-704,共4页李瑞宾 林东生 陈伟 王桂珍 杨善潮 白小燕 金晓明 
分析了典型双极型二管和三管能隙基准源受瞬时电离辐射后的输出响应,以及以双极能隙基准源为基本电路的集成稳压器的瞬时辐射效应,并对含典型三管能隙基准源的集成稳压器L7805芯片进行了瞬时电离辐射实验验证。实验结果表明,基准源受辐...
关键词：瞬时电离辐射 能隙基准源 集成稳压器 
1V电源的CMOS能隙电压基准源被引量：8
《Journal of Semiconductors》2005年第4期826-829,共4页盛敬刚 陈志良 石秉学 
采用SMIC0.35μmCMOS工艺实现了一种可以工作在1V电源电压下的CMOS能隙基准源.测试表明,该电路可以工作在1～2.5V电源电压下,输出的基准电压可以稳定在约0.446V.在从室温到100℃的范围内,温度系数不超过3.6×10-5/K.
关键词：低压 能隙基准源 CMOS模拟电路 
一种输出可调CMOS能隙基准源电路的设计被引量：1
《微电子学》2004年第5期578-581,共4页吴玉广 钟国华 贺荣华 刘道广 
　从分析典型的能隙基准电路的一般原理入手,重点讨论了一种输出可调节的CMOS能隙基准电路的设计。通过增加一些辅助电路,提高了电路的电源抑制比。简单介绍了电路中双极晶体管在CMOS工艺中的实现方法。所设计的电路具有输出可调的功能...
关键词：能隙基准源 输出可调 CMOS 温度系数 电源抑制比 
高精密CMOS能隙基准源的研究
《微电子学》1992年第4期39-43,共5页罗福明 沈延钊 南德恒 
本文设计和研究了与n阱CMOS工艺兼容的高精密CMOS能隙基准源电路。该电路实现了全温度曲率补偿,降低了运放失调电压对精度的影响。理论上证明,具有极好的温度特性。SPICE模拟表明,精度可达到<3ppm/℃,实验芯片亦达到预期结果。
关键词：CMOS 电路设计 版图设计 集成电路 
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