PMOSFET的NBTI效应  

NBTI Effects in PMOSFET

作　　者：李若瑜[1] 李斌[1] 陈平[1] 韩静[1] 

机构地区：[1]华南理工大学微电子学系,广州510640

出　　处：《半导体技术》2005年第5期62-66,27,共6页Semiconductor Technology

摘　　要：随着工艺的发展,器件尺寸的不断缩小,PMOSFET受负温度不稳定性(NBTI)效应影响而失效的现象愈来愈严重,NBTI效应的影响成为器件可靠性的一个焦点问题。本文综述了NBTI效应的产生机理、影响因素、减缓方法及其相关的一些前沿问题。With the advanced processes, the feature size of the devices keeps diminishing, whichleads to more frequent failure of PMOSFET due to NBTI effects that now becomes a focus of devicereliability. NBTI effect is reviewed on mechanisms, affecting factors, alleviating methods and therelevant problems.

关 键 词：PMOS场效应晶体管 负温度不稳定性 栅氧化层可靠性 器件失效 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]