低能高电荷态离子U^(q+)在金属Al(111)表面掠射产生沟道效应的计算机模拟  被引量:1

Computer simulation of channeling effect for slow high charged ion U^(q+) grazing incidence on Al(111) surface

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作  者:胡碧涛[1] 宋玉收 

机构地区:[1]兰州大学物理学院原子核研究所,兰州730000

出  处:《核技术》2005年第5期337-341,共5页Nuclear Techniques

基  金:国家自然科学基金(10374039)省自然科学基金(ZS031-A25-001-Z)高等学校理科博士点基金(20030730004)资助

摘  要:用自己编写的STARF程序,系统地研究了低能高电荷态离子uq+(q=10-40)在Al(111)晶面上掠射时,反射系数、反射离子的角分布等对于离子入射角、电荷态和能量的依赖关系;并探讨了高电荷态离子在金属表面产生沟道效应的条件。Using STARF code developed by ourselves, the scattering of Uq+(q=10-40) from Al(111) surface under grazing angle were simulated. In our simulation, the dependence of the reflection coefficient and the reflection angle distribution on incidence angle, charge state and kinetic energy of the projectile were systematically studied. In the present work, our simulation results were also compared with results in references and found in good agreement with them.

关 键 词:沟道效应 低能高电荷态离子 掠射 镜像电荷 

分 类 号:O571.33[理学—粒子物理与原子核物理]

 

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