美国制造出新型碳纳米晶体管  

出　　处：《电子元器件应用》2005年第3期25-25,共1页Electronic Component & Device Applications

摘　　要：美国科学技术人员最近制造出电子迁移率比现有半导体材料高25％，比硅晶体管高70％的碳纳米晶体管，该碳纳米管成为新一代功能更强大、尺寸更小的电子产品。半导体碳纳米管在室温下传输电流的能力好于任何已知的其他物质，用它可制造比以往更好的晶体管，这一发现是纳米管能够成为新一代功能强大的电子产品基础的最新证据。

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分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学] TB383[一般工业技术—材料科学与工程]