氮化物结合碳化硅窑具材料抗氧化性能研究  

Study on resistance to oxidation of Si3N4 bonded SiC kiln materials

作　　者：刘春侠[1] 赵俊国[1] 张治平[1] 王文武[1] 

机构地区：[1]洛阳耐火材料研究院,471039

出　　处：《陶瓷》2005年第5期18-21,共4页Ceramics

摘　　要：在不同氧化温度下(115 0～14 5 0℃)对氮化物(Si2 N2 O)结合碳化硅(SiC)与氮化硅(Si3N4 )结合碳化硅(SiC)两种氮化物结合SiC窑具材料的抗氧化性进行了对比研究。结果表明:在显气孔率与氧化面积相近的情况下,Si2 N2 O结合SiC材料低温下(<12 5 0℃)具有较好的抗氧化性,而Si3N4 结合SiC材料高温下(≥12 5 0℃)具有较好的抗氧化性。

关 键 词：窑具材料 碳化硅 氮化物 性能研究 抗氧化性 SI3N4 SiC 对比研究 氧化温度 显气孔率 氮化硅 

分 类 号：TQ174.653[化学工程—陶瓷工业] TQ174.758[化学工程—硅酸盐工业]