配合物热分解制备氮化镓纳米线及其生长机理研究  

Pyrolysis approach to GaN nanowires with VLS mechanism

作　　者：展杰[1] 郝霄鹏[1] 吴拥中[1] 温树林[1] 蒋民华[1] 

机构地区：[1]山东大学晶体材料国家重点实验室,山东济南250100

出　　处：《功能材料》2005年第5期714-716,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50302005;90206042);山东省优秀中青年科学家科研奖励基金资助项目(03BSD75)

摘　　要：报道了利用VLS生长机制,在NH3气氛中,由配合物GaCl3·NH3在高温下热分解反应成功制备了GaN纳米线,利用X射线衍射(XRD)、高分辨电镜(HRTEM)、X射线能谱(EDS)等分析手段对产物进行了表征,并对氮化镓纳米线的VLS生长机理进行了探讨。In this report, we describe a new route for synthesizing gallium nitride nanowires with high-purity and well crystallization by thermal decomposition reaction of complex GaCl2 &middot NH3 in NH3 atmosphere on Si wafers. The growth process of gallium nitride nanowires follows the VLS mechanism. The result products were characterized by XRD, HRTEM and EDS.

关 键 词：氮化镓 纳米线 VLS机制 表征 显微结构 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程]