p型GaN欧姆接触的比接触电阻率测量  

Measurement of Specific Contact Resistivity of Ohmic Contact on p-GaN

作　　者：薛松[1] 韩彦军[1] 吴震[1] 罗毅[1] 

机构地区：[1]清华大学电子工程系集成光电子国家重点实验室,北京100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第5期965-969,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:TG2000036601);国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA312190;2002AA31119Z);国家自然科学基金(批准号:60244001)资助项目~~

摘　　要：采用多种传输线模型方法,测量了p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率.通过比较和分析不同测量方法所得的结果之间的差异,得出了一个准确、可靠测量p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率的方法———圆点传输线模型方法.利用该方法优化了p型GaN上欧姆接触的退火温度,在氧气气氛中650℃退火后获得了最优的欧姆接触,其比接触电阻率为5 12×10-4Ω·cm2.Three transmission line model methods are adopted to measure the specific contact resistivity(SCR) of the ohmic contacts on p-GaN.By comparing and analyzing the results of these experiments,it is concluded that the dot circular transmission line model (dot-CTLM) is the most suitable method to measure the SCR of the ohmic contact on p-GaN.Based on the dot-CTLM,the annealing temperature of ohmic contact on p-GaN is optimized,and the best result with SCR of 5.12×10 -4 Ω·cm2 is achieved after annealing at 650℃ in O 2 atmosphere.

关 键 词：p型氮化镓 比接触电阻率 传输线模型 圆形传输线模型 

分 类 号：TM934[电气工程—电力电子与电力传动]