稀释磁性半导体Sn_(1-x)Mn_xO_2的室温铁磁性  

Room-temperature ferromagnetism in Mn-doped SnO_2 diluted magnetic semiconductor

作　　者：匡安龙[1] 刘兴翀[2] 路忠林[2] 任尚坤[2] 刘存业[1] 张凤鸣[2] 都有为[2] 

机构地区：[1]西南师范大学物理系,重庆400715 [2]南京大学固体微结构国家重点实验室,南京210093

出　　处：《物理学报》2005年第6期2934-2937,共4页Acta Physica Sinica

基　　金：国家重点基础研究发展规范项目973"纳米材料和纳米结构"(G199906508);国家自然科学基金项目(10374044).~~

摘　　要：采用固相反应法,制备了不同成分的稀释磁性半导体Sn1-xMnxO2(x=0.02,0.04,0.06).利用x射线衍射和傅里叶变换红外光谱法证明了锰均匀地掺杂到二氧化锡中.在室温下研究了掺锰二氧化锡基稀释半导体的磁性,发现它具有明显的铁磁性,同时对磁性的强弱与锰的含量和烧结温度的关系作了研究.Using the solid-state diffusion method, a series of Sn1-x MnxO2 (x = 0.02-0.06) diluted magnetic semiconductors (DMSs) are fabricated. By using x-ray diffraction(XRD) measurements and Fouier transform infrared spectroscopic(NEXUS870) analyses, a uniform Mn distribution in the SnO2 is confirmed. An obvious ferromagnetism in Mn-doped SnO2 DMS at room temperature is found and the ferromagnetism is weak with the increase of Mn concentration.

关 键 词：稀释磁性半导体 掺杂方法 锰 铁磁性 烧结温度 

分 类 号：O472.5[理学—半导体物理]