氮化硅薄膜的制备方法及主要应用  

作　　者：张化福[1] 祁康成[1] 吴健[1] 

机构地区：[1]电子科技大学光电信息学院，成都610054

出　　处：《材料导报》2004年第F10期298-300,297,共4页Materials Reports

摘　　要：氮化硅薄膜具有优良的光电性能、绝缘耐压性能、机械性能以及钝化性能等，在光电子、微电子等大规模集成电路和半导体器件制造中有着广泛的应用。重点评述了制备氮化硅薄膜的几种常用方法，并介绍了氮化硅薄膜的主要性能及其应用。

关 键 词：氮化硅薄膜 应用 制备方法 大规模集成电路 半导体器件 光电性能 耐压性能 机械性能 常用方法 主要性能 光电子 微电子 

分 类 号：TN47[电子电信—微电子学与固体电子学] O484.1[理学—固体物理]