单晶硅各向异性腐蚀的微观动态模拟  

Anisotropic Etching Micro Dynamic Simulation of Crystalline Silicon

作　　者：姚娉[1] 闫卫平[1] 马灵芝[2] 杜立群[2] 郭吉洪[2] 

机构地区：[1]大连理工大学电子与信息工程学院,辽宁大连116023 [2]大连理工大学微系统研究中心,辽宁大连116024

出　　处：《微纳电子技术》2005年第6期284-287,共4页Micronanoelectronic Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60174034)

摘　　要：根据单晶硅各向异性腐蚀的特点,以晶格内部原子键密度为主要因素,温度、腐蚀液浓度等环境因素为校正因子,建立了一个新颖的硅各向异性腐蚀的计算机模拟模型。在VC++开发环境下利用OpenGL技术,实现了硅各向异性腐蚀过程的三维微观动态模拟,为深刻理解硅的各向异性腐蚀过程提供了直观的界面。A novel computer simulation model has been built for silicon anisotropic etching process. Based on the anisotropic etching characteristic of silicon,this model depends mainly on the bonds density of inner atoms with respect to environment factors such as temperature,concentration of the etchant. With VC++ and OpenGL,it has accomplished the micro dynamic simulation of silicon anisotropic etching and provided researchers with a vivid interface to the etching process.

关 键 词：各向异性腐蚀 MEMS加工工艺 计算机模拟 OpenGL三维技术 

分 类 号：TP216[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]