ICP刻蚀技术与模型  

Technology and Models of ICP Etching

作　　者：张鉴[1] 黄庆安[1] 

机构地区：[1]东南大学MEMS教育部重点实验室,南京210096

出　　处：《微纳电子技术》2005年第6期288-296,共9页Micronanoelectronic Technology

基　　金：国家杰出青年科学基金资助课题(50325519)

摘　　要：从ICP刻蚀装置、ICP刻蚀技术及模拟模型以及可用于ICP刻蚀模拟的CAD工具研究现状等几方面,对ICP刻蚀过程中所涉及的原理和模型做了较为详细的介绍和比较,以使对ICP刻蚀技术及模型有一个较为全面的认识。The device and technology of ICP etching,simulation models and CAD tools being applicable for ICP etching are introduced and compared to provide a quite comprehensive expatiation to readers.

关 键 词：ICP刻蚀 等离子体 模型 

分 类 号：TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]