氧氮共渗  

出　　处：《表面工程：英文版》2005年第3期14-16,共3页

摘　　要：SY509-3-64 [篇名] Degradation and SILC effects of RPECVD sub-2.0nm oxide/nitride and oxynitride dielectrics under constant currentstress；SY509-3-65 [篇名] Effect of Microstructural Variables on the Erosion of Silicon Nitride Ceramics……

关 键 词：氧氮共渗工艺 SILC 硅材料 恒流压力 等离子体 

分 类 号：TG156.82[金属学及工艺—热处理]