采用新结构与新工艺降低SiGe HBT基区串联电阻  

Decrease of SiGe HBTs' Base Serial Resistance with Novel Structure and Process

作　　者：史辰[1] 杨维明[1] 刘素娟[1] 徐晨[1] 陈建新[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100022

出　　处：《固体电子学研究与进展》2005年第2期255-259,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：北京市自然科学基金项目(项目编号:4032005)

摘　　要：采用新型调制掺杂量子阱基区结构和掩埋金属自对准工艺方法,在器件的纵向结构和制备手段上同时进行改进,使超薄基区小尺寸SiGeHBT的基区横向电阻和接触电阻分别降低42%和55%以上,有效解决了基区串联电阻的问题。With the novel modulated doping QW base and buried metal self-align process, the base lateral resistance and contact resistance of ultra-thin-base small-size SiGe HBTs are decreased by 42% and 55% respectively, which provides an effective method of resolution on base serial resistance.

关 键 词：锗硅异质结双极晶体管 基区串联电阻 调制掺杂量子阱 掩埋金属自对准 

分 类 号：TN385[电子电信—物理电子学]