Optimization of Plasma Etching Parameters and Mask for Silica Optical Waveguides  

二氧化硅光波导刻蚀参量及掩膜的优化(英文)

作　　者：周立兵[1] 刘文[1] 吴国阳[1] 

机构地区：[1]武汉邮电科学研究院,武汉430074

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第6期1104-1110,共7页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2001AA312020)~~

摘　　要：Optical waveguides in silica-on-silicon are one of the key elements in optical communications.The processes of deep etching silica waveguides using resist and metal masks in RIE plasma are investigated.The etching responses,including etching rate and selectivity as functions of variation of parameters,are modeled with a 3D neural network.A novel resist/metal combined mask that can overcome the single-layer masks’ limitations is developed for enhancing the waveguides deep etching and low-loss optical waveguides are fabricated at last.硅基二氧化硅光波导是光通信中的关键器件.采用光刻胶以及金属作为掩膜进行了反应离子刻蚀二氧化硅光波导的工艺研究,获得了刻蚀速率及刻蚀选择比相对各工艺参数变化的三维神经网络模型.利用一种新型的用于二氧化硅深刻蚀的复合双层掩膜结构,克服了许多单层掩膜自身的限制,并利用这一结构制作出低传输损耗的硅基二氧化硅波导.

关 键 词：reactive ion etching silica-on-silicon optical waveguides 3D neural network 

分 类 号：TN252[电子电信—物理电子学]