浅谈后摩尔定律时期微电子技术的发展  

作　　者：李志坚[1] 李铁夫[1] 

机构地区：[1]北京清华大学微电子所

出　　处：《中国集成电路》2005年第2期1-5,共5页China lntegrated Circuit

摘　　要：根据理论研究和国际半导体技术发展路线图(ITRS),传统的硅基CMOS正在接近其极限。为了使微电子技术得以继续发展,最近提出了许多基于多种不同机制的新兴器件,它们可能作为下一代的微电子技术的支柱。但是,作为经典的、二能级开关,这些新兴器件也都受到量子力学和热力学的限制。为了克服这两个基本限制,更大的提高ULSI系统的性能,需要发展功能比二值开关更高的器件或者提出新型的、不同于传统的信息处理系统模型。本文将从器件功耗延迟积的角度来讨论这个问题。

关 键 词：微电子技术 摩尔定律 半导体技术 功耗延迟积 理论研究 CMOS 量子力学 ULSI 系统模型 信息处理 器件 路线图 二能级 热力学 传统 开关 限制 硅基 

分 类 号：TN40[电子电信—微电子学与固体电子学]