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作 者:宁光辉[1] 李佳[1] 张昌清[1] 赵晓鹏[1]
机构地区:[1]西北工业大学电流变技术研究所,西安710072
出 处:《光子学报》2005年第5期769-772,共4页Acta Photonica Sinica
基 金:国家自然科学基金 ( 50272054 );国家杰出青年基金(50025207);西北工业大学博士创新基金(200241)资助
摘 要:用溶胶凝胶法制备了几种ZnO粉末,测量了它们的直流电致发光.在样品中观察到了较强的绿带(556 nm)发射;对十二胺处理的样品,绿带发光强度最高可提高8倍,十八胺处理的样品,绿带发光强度最高可提高12倍.在同电压下,十八胺处理的ZnO的发光强度也较十二胺处理的ZnO的发光强度大1.5~2倍;并在十二胺处理的样品中,还观察到了强度较小的蓝光谱带(406 nm).在一定电压范围内,ZnO电致发光强度随直流电压增强而线性增强.所得ZnO样品在2V/μm场强下起亮,在测量的近1 h内,发光强度稳定,重复性好.分析认为:406 nm处的蓝光谱带是由于VZn空位在禁带中(距离价带0.3 eV)形成缺陷能级,从导带到价带跃迁的结果,而556 nm处的绿色发射带是由ZnO中氧空位所导致.Electroluminescences of ZnO nano-particles are observed under volts d.c. The contrast of EL spectra from some powders that dealt with different surfactant had been studied. The EL intensity of the ZnO powders can be enhanced in the sample deal with ODA and DBA by 8 times and 12 times respectively. The EL intensity of the ZnO sample dealt with ODA is stronger than that of the ZnO sample dealt with DDA under the same volts d.c. The peak at 406 nm should be most probably related to the defect levels of VZn and the peak at 556 nm is attributed to the Vo.
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