低电阻p-DBR结构的模拟分析  

Simulation Analysis on Low Resistance p-type DBR Structure

作　　者：马丽娜[1] 郭霞[1] 盖红星[1] 渠红伟[1] 董立闽[1] 邓军[1] 廉鹏[1] 沈光地[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京100022

出　　处：《半导体技术》2005年第6期56-59,共4页Semiconductor Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60276033;69889601);国家"863"高技术计划资助项目(2002AA312070);国家"973"计划资助项目(G20000683-02);北京市自然科学基金资助项目(4021001)

摘　　要：设计了低电阻的渐变型分布布拉格反射器(DBR)结构,模拟分析了采用渐变p-DBR结构对价带能带的影响,并详细讨论了渐变形状、渐变区宽度、掺杂浓度等参数对低电阻渐变DBR结构的价带势垒的影响。利用MOCVD技术制备了实验样品,模拟结果与实验数据基本吻合。The low series resistance graded DBRs structures are designed. The effects on valance band of p-type graded DBRs are simulated and compared. Moreover, the effects of grading profile, graded region width and doping concentration on valence band barrier height are studied. The simu- lated results closely accord with the experiment results.

关 键 词：渐变布拉格反射器 渐变形状 价带势垒 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]