用于Si基片上外延BST薄膜的缓冲层的研究进展  

Research Progress of Buffer Layers Used in Heteroepitaxial Growth of BST Thin Film on Silicon Substrate

作　　者：魏贤华[1] 张鹰[1] 梁柱[1] 黄文[1] 李言荣[1] 

机构地区：[1]电子科技大学微电子与固体电子学院,成都610054

出　　处：《材料导报》2005年第5期97-101,共5页Materials Reports

摘　　要：由于界面之间的扩散,很难取得在 Si 基片上 BST 薄膜的外延。在这种异质结之间,稳定的缓冲层起着良好的阻挡作用以及结构上的延伸功能。综述了用于外延 BST 薄膜的缓冲层材料的意义和要求,及国内外通过缓冲层来控制界面以及薄膜的外延取向而获得高质量薄膜的最新研究动态,展望了今后用于外延 BST 薄膜的缓冲层材料发展的趋势。It is difficult to obtain the heteroepitaxial growth of BST thin film on silicon substrate due to the interface diffusion.Stable buffer layers acting as the barriers of the interface can make BST films grow epitaxially.In different experimen- tal method,the quality of the film can be improved by optimizing the experimental conditions,which can control the interface and orientation of the film.

关 键 词：BST薄膜 缓冲层 研究进展 基片 SI 延伸功能 研究动态 控制界面 材料发展 异质结 国内外 阻挡 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] O484.1[理学—固体物理]