硅腐蚀液中加入醋酸作用机理的研究  

STUDY ON THE REACTION MECHANISM OF ACETIC ACID IN SILICON ETCHING SOLUTION

作　　者：张前玉 何培之[1] 朱长纯[2] 

机构地区：[1]西安交通大学化学与化学工程系 [2]西安交通大学电子工程系

出　　处：《西安交通大学学报》1989年第5期35-38,46,共5页Journal of Xi'an Jiaotong University

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文用实验证实了化学反应计量比的HNO_3—HF腐蚀液可用作硅器件的深槽腐蚀,而在此腐蚀液中加入醋酸,用于硅器件的浅槽腐蚀比用HNO_3—HF—NH_4F体系的效果更好,并对醋酸在腐蚀液中的作用机理提出了新的见解。This paper demonstrates experimentally the etching solution of HNO_3-HF in stoichiometry can be used in deep grooves etching of silicon devices. When add in acetic acid, the etching effects of this solution in shallow grooves etching is better, than the HNO_3-HF-NH_4F solution. New ideas on the reaction mechanism of acetic acid in this etching solution is put forward.

关 键 词：硅 硅器件 腐蚀液 醋酸 反应机理 

分 类 号：TN305.2[电子电信—物理电子学]