水基流延法制备高热导率氮化铝陶瓷基片的方法  

作　　者：雒晓军[1] 张宝林[1] 李文兰[1] 庄汉锐[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海硅酸盐研究所,上海市定西路1295号200050

出　　处：《科技开发动态》2005年第4期41-41,共1页R&D Information

摘　　要：该发明专利涉及一种水基流延法制备集成电路氮化铝陶瓷基片的方法。该方法的主要技术特征是：把经过磷酸处理的氮化铝粉末、烧结助剂和有机添加剂按照以下配方制备成浆料：氮化铝粉末40wt％-60wt％；氧化钇0．5wt％～2wt％；氧化镝1wt％-3wt％；水10wt％-20wt％；聚丙烯酸酯乳浊液0．2wt％-1wt％；聚乙烯醇乳浊液20wt％-40wt％；甘油2wt％～5wt％。

关 键 词：氮化铝陶瓷基片 流延法 高热导率 制备 水基 氮化铝粉末 有机添加剂 聚丙烯酸酯 集成电路 发明专利 主要技术 烧结助剂 聚乙烯醇 乳浊液 酸处理 氧化钇 氧化镝 甘油 

分 类 号：TQ174.758[化学工程—陶瓷工业] TN405[化学工程—硅酸盐工业]