CMOS超大容量静态随机存储器研究  

Study of CMOS Super Capability Static Random Access Memory

作　　者：李建宏[1] 姚秀华[1] 刘庆川[1] 

机构地区：[1]东北微电子研究所,沈阳110032

出　　处：《微处理机》2005年第3期7-8,11,共3页Microprocessors

摘　　要：本文介绍了一种应用于特殊领域,符合用户特殊要求的CMOS超大容量静态随机存储器,同时介绍了该电路的主要功能和相关的设计、制造、测试技术。This paper introduces a kind of SRAM,which is used on special domain and tallies with the users' special require,and introduces the main function.Meanwhile,describers the design,manufacture and test problems.

关 键 词：超大容量 静态随机存储器 

分 类 号：TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]