一维ZnO纳米结构的电子场发射研究  

Electron Field-Emission Investigation of One-Dimensional ZnO Nanostructures

作　　者：丰平[1] 万青[1] 王太宏[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《微纳电子技术》2005年第7期305-310,共6页Micronanoelectronic Technology

摘　　要：在大量制备一维ZnO纳米结构的基础上,研究了这些纳米结构的场发射性能。对于四角状ZnO纳米结构,获得1.0m Ac/m2的电流密度只需要4.5V/μm的电场;对于线状Z nO纳米结构,获得1.0mAc/m 2的电流密度需要6.5V/μm的电场。由于其特殊的结构,四角状ZnO一维纳米结构在真空电子器件方面有很好的应用前景。On the basis of mass production of different one-dimensional(1D)ZnO nanostructures,we investigated their field-emission properties.In order to gain the current density 1.0 mA/cm2,only the external electric field as low as 4.5 V/μm is needed for tetrapod-like ZnO 1D nanostructures,and 6.5 V/μm for ZnO nanowires.Our results demonstrated that tetrapod-like ZnO 1D nanostructures have potential application in the field of vacuum electron devices arising from the special structure.

关 键 词：一维纳米结构 电子场发射 纳米线 平板显示 

分 类 号：TN304.21[电子电信—物理电子学] TN104.3