万青

作品数：5被引量：15H指数：3
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供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文主题：纳米线衬底温度ZRO2薄膜ZRO电学性能更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术理学机械工程更多>>
发文期刊：《中国激光》《微纳电子技术》《功能材料与器件学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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一维ZnO纳米结构的电子场发射研究被引量：3
《微纳电子技术》2005年第7期305-310,共6页丰平 万青 王太宏 
在大量制备一维ZnO纳米结构的基础上,研究了这些纳米结构的场发射性能。对于四角状ZnO纳米结构,获得1.0m Ac/m2的电流密度只需要4.5V/μm的电场;对于线状Z nO纳米结构,获得1.0mAc/m 2的电流密度需要6.5V/μm的电场。由于其特殊的结构,...
关键词：一维纳米结构 电子场发射 纳米线 平板显示 
零维和一维半导体纳米结构被引量：3
《微纳电子技术》2004年第12期1-12,共12页万青 丰平 王太宏 
介绍了几种零维和一维无机半导体纳米结构的制备及其应用。其中,零维无机半导体纳米结构以Si,Ge量子点为代表,一维无机半导体纳米结构以碳纳米管、硅纳米线、氧化锌纳米线和氮化镓纳米结构为代表,介绍了它们的制备和应用研究动态;最后...
关键词：纳米结构 量子点 纳米晶 纳米管 纳米线 纳米技术 
电子束蒸发制备纳米硅锥及其场发射性能研究
《功能材料与器件学报》2003年第2期147-149,共3页谢欣云 万青 林青 沈勤我 林成鲁 
国家重点基础研究专项经费(G20000365);国家自然科学基金(No.69976034)
应用超高真空电子束蒸发方法,以铁作为催化剂,在硅和多孔硅衬底上生长纳米Si锥阵列。采用原子力显微镜表征生长在不同衬底上纳米硅的形貌特征,测试和比较了不同衬底上纳米硅的电子场发射性能。实验结果表明用这种方法形成了高度为10～3...
关键词：纳米硅锥 场发射性能 电子束蒸发 制备 原子力显微镜 多孔硅 
准分子脉冲激光沉积法制备的ZrO_2薄膜结构和电学性能的研究被引量：7
《中国激光》2003年第4期345-348,共4页章宁琳 宋志棠 邢溯 万青 林成鲁 
国家 973(G2 0 0 0 0 36 5 0 6 );国家自然科学基金 (J96 0 2 0 2 s和 90 10 10 12 )资助项目
采用准分子脉冲激光沉积法 (PLD)分别在Pt/Ti/SiO2 /Si和SiO2 /Si衬底上制备了ZrO2 薄膜 ,采用扩展电阻法 (SRP)研究了薄膜纵向电阻分布 ;采用X射线衍射法 (XRD)研究了衬底温度对ZrO2 薄膜结晶性能的影响 ;精确测试了薄膜的表面粗糙度 ...
关键词：准分子脉冲激光沉积法 ZRO2薄膜 衬底温度 结晶结构 电学性能 
以Al_2O_3为过渡层脉冲激光法制备PZT铁电薄膜被引量：2
《功能材料与器件学报》2002年第2期128-132,共5页万青 王连卫 邢朔 章宁琳 沈勤我 林成鲁 
国家自然科学基金资助项目(59982008)
为实现PZT铁电薄膜与半导体衬底的直接集成引入Al2O3为过渡层,首先用真空电子束蒸发法在Si(100)、多晶金刚石(111)衬底上生长约20nm厚的Al2O3过渡层,接着在上述衬底上采用脉冲激光淀积(PLD)法淀积PZT薄膜,衬底温度为350-550oC。X光电子...
关键词：脉冲激光法 制备 铁电薄膜 过渡层 PZT PLD 氧化铝 
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