功率双基区晶体管（DUBAT）及其压（流）控调频效应  

Power DUBAT and It's Voltage(Current) Controlled Frequency Modulation

作　　者：郭维廉[1] 郑云光[1] 侯曾 郑爱林 

机构地区：[1]天津大学电子工程系

出　　处：《固体电子学研究与进展》1994年第4期310-316,共7页Research & Progress of SSE

基　　金：天津市科委资助

摘　　要：在重点考虑了提高击穿电压和增大电流容量的基础上，设计并研制出功率型ＤＵＢＡＴ。其主要参数达到：ＢＶ（ＣＥ０）≥１２０Ｖ，Ｉ（ＣＭ）≥２Ａ，ＲＮ≈５０～１１０Ω，Ｐ（ＣＭ）≥１０Ｗ。并在此器件上首次发现了电压（流）控制调节脉冲频率效应。The power dual base transistor (DUBAT) has been designed and fabricated by increasing the breakdown voltage and current capacity of the device.The parameters of BV(CE0)≥120 V,I(CM)≥2 A, RN≈50￣110 Ω,and P(CM)≥10 W have been obtained. In addition,from this device,we find the voltage (current )controlled frequency modulation for the first time.

关 键 词：双基区晶体管 负阻器件 电压控制 电流控制 调频 

分 类 号：TN323.4[电子电信—物理电子学]