负阻器件

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锯齿形氮化铝纳米带负阻器件电子输运性质研究
《原子与分子物理学报》2025年第2期85-90,共6页黄绛雪 黄启俊 何进 王豪 常胜 
国家自然科学基金(62074116,61874079,81971702);珞珈青年学者计划。
低维纳米带材料因为其结构的特异性而呈现出新奇的物理性质.修饰纳米带的边缘能够调制其电子性质.本文运用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,探究了锯齿形氮化铝纳米带(ZAlNNR)单边氟化、单边氯化以及单边氢化的电子结构和输...
关键词：锯齿形氮化铝纳米带 电子输运 负微分电阻效应 第一性原理 
基于负阻器件的串联电池组防过充保护电路
《电子制作》2024年第11期75-78,共4页郭士玉 何志毅 祖密密 石锦鹏 
国家自然科学基金(61961008);桂林电子科技大学研究生教育创新计划资助项目(2022YCXS035)。
高压用电设备往往需要多节电池串联供电,但随着时间推移电池组会出现容量不均衡的现象,针对串联电池组容量不均衡造成单节电池容易过充引起燃爆等不安全现象,本文设计了基于负阻器件的串联电池组防过充纯模拟电路。包括电压检测放大模...
关键词：负阻器件 DB3 串联电池组 过充 不均衡 
异质结界面结构在石墨烯负阻器件中的作用
《固体电子学研究与进展》2020年第5期333-336,348,共5页汪威 黄启俊 何进 王豪 常胜 
国家自然科学基金资助项目(61874079,61574102,61774113)。
基于石墨烯纳米带异质结设计新型负微分电阻(Negative differential resiatance,NDR)器件的思路,利用不同宽度尺寸石墨烯纳米带的组合来搭建双势垒量子阱,构造了具有优良NDR性能的新型器件。通过一系列的数值计算仿真,揭示了不同异质结...
关键词：异质结界面结构 负阻器件 量子阱 布洛赫态 
基于MOS-NDR负阻器件的D触发器设计
《浙江大学学报（理学版）》2013年第6期641-645,649,共6页向光平 沈继忠 
国家自然科学基金资助项目(No.61071062);浙江省自然科学基金资助项目(No.LY13T010001)
负阻器件由于在电流-电压特性曲线中表现出独特的负微分电阻特性,从而大大增加了单个器件所能实现的逻辑功能.如果将其用于数字逻辑电路设计,尤其是触发器的设计,可有效减少器件的数目.通过分析CMOS工艺负阻器件MOS-NDR及单双稳态转换...
关键词：负阻器件 MOS-NDR MOBILE D触发器 
基于0.5μm标准CMOS工艺的新型Λ负阻器件
《科学通报》2011年第36期3054-3056,共3页陈燕 毛陆虹 郭维廉 于欣 张世林 谢生 
国家自然科学基金资助项目(61036002)
介绍了一种新型的I-V特性为Λ型的负阻器件(negative resistance device,NRT),该器件使用上华0.5μm标准互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor transistor,CMOS)工艺制造.为节省器件数目,此类负阻器件并不调...
关键词：∧型负阻器件 CMOS P 型基区层 电流峰谷比 低功耗 
CMOS负阻单元逻辑电路及其发展前景被引量：2
《微纳电子技术》2010年第8期461-469,506,共10页郭维廉 牛萍娟 李晓云 刘宏伟 谷晓 毛陆虹 张世林 陈燕 王伟 
在回顾了多值逻辑(MVL)电路的优点、分析了共振隧穿器件(RTD)电路的特点和比较了各种类型负阻器件性能的基础上,提出了利用CMOS型负阻单元作为基础性器件设计并实现CMOS型逻辑电路的新概念,并指出了此研究领域的几个重点研究内容和方向。
关键词：CMOS工艺 多值逻辑(MVL) 共振隧穿器件(RTD) 负阻器件 逻辑电路设计 自锁特性 
基于双基区晶体管的负阻特性静态随机存储单元电路的设计
《电脑知识与技术》2010年第3X期2251-2252,共2页罗贤亮 董晨民 王永顺 
双基区晶体管是一种硅基三端压控型负阻器件,它的Ic—Vbe曲线具有双稳态特性。利用双基区晶体管的负阻、高速特性构成的静态随机存储电路,结构简单、器件数量少、噪声容限大抗干扰能力强、速度快。将4v时钟信号作为器件的驱动电源,降低...
关键词：双基区晶体管 静态随机存储器 负阻器件 
基于负阻抗变换器的实验仿真与应用研究
《科技广场》2009年第3期183-185,共3页张国平 嵇英华 
文章介绍了由一级放大器实现的负阻抗变换器的工作原理。以软件Multisim2001为平台,对负阻抗变换器的一些应用电路的性能进行了仿真分析,得出了一些实用的结论。
关键词：负阻器件 模拟电感 运算放大器 
CMOS工艺中负阻器件的研究
《中国科技信息》2009年第9期132-132,134,共2页李沛羽 杨涛 张彩珍 
本文简单阐述了负阻器件电路的原理,提出了一种利用MOS管构成负阻电路的设计方案,通过Pspice仿真验证了电路的正确性,可行性。最后讲述了负阻电路在NAND和NOR逻辑门电路中的应用,并与常规电路进行了比较。
关键词：负阻 MOS NAND NOR 
采用PLBT光控振荡器的周期解
《自动化与仪表》2008年第8期58-60,共3页储健 高和平 马强 
采用硅光电负阻器件PLBT可以构成光控振荡器。只要对在光照下PLBT的输出特性进行合理的解析描述,就可以应用KBM方法求解该系统的第一次近似解以及高次近似解。在设计这种振荡器时,该解析解有助于正确选择电路参数。
关键词：硅光电负阻器件 拉姆达光电双极晶体管 非线性微分方程 摄动理论 KBM平均法 
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