王伟

作品数：4被引量：7H指数：2
导出分析报告
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：激光器发光器件硅基刻蚀标准CMOS工艺更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《微纳电子技术》《光电子．激光》《固体电子学研究与进展》《发光学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-4
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
由pnp双极型晶体管和PMOS构成的CMOS负阻单元
《固体电子学研究与进展》2013年第2期158-161,198,共5页陈乃金 郭维廉 陈燕 王伟 张世林 毛陆虹 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2002CB11905);安徽省高等学校省级自然科学资金资助项目(KJ2007B247;KJ2012B010);芜湖市科技计划自然科学资金资助项目(芜科计字[2012]94号)
使用pnp双极型晶体管和pMOS,按照正反馈产生负阻I-V特性的原理,采用CMOS工艺,设计研制成功CMOS负阻单元,并对它进行了实际的测试与验证,效果良好,而且可以用它作为基础性器件,构成与CMOS工艺相兼容的负阻型逻辑电路,比常规CMOS电路节省...
关键词：负阻单元 互补型金属氧化物半导体 逻辑电路 双极晶体管 金属氧化物半导体场效应晶体管 
CMOS负阻单元逻辑电路及其发展前景被引量：2
《微纳电子技术》2010年第8期461-469,506,共10页郭维廉 牛萍娟 李晓云 刘宏伟 谷晓 毛陆虹 张世林 陈燕 王伟 
在回顾了多值逻辑(MVL)电路的优点、分析了共振隧穿器件(RTD)电路的特点和比较了各种类型负阻器件性能的基础上,提出了利用CMOS型负阻单元作为基础性器件设计并实现CMOS型逻辑电路的新概念,并指出了此研究领域的几个重点研究内容和方向。
关键词：CMOS工艺 多值逻辑(MVL) 共振隧穿器件(RTD) 负阻器件 逻辑电路设计 自锁特性 
标准CMOS工艺栅控Si-LED设计与制备被引量：1
《光电子．激光》2010年第5期644-646,共3页杨广华 毛陆虹 黄春红 王伟 郭维廉 
国家自然科学基金资助课题(60536030,60676038);天津市基础研究重点项目(06YFJZJC00200,08JCZDJC24100)
采用新加坡半导体制备有限公司的0.35um EEPROM双栅标准CMOS工艺设计和制备了U型Si-LED发光器件。器件结构采用P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+叉指结构形成U型器件,外部的两个P+区为保护环,在相邻的内部两个P+区之间使用多晶硅作为...
关键词：硅 发光器件 CMOS标准工艺 
条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析被引量：4
《发光学报》2010年第3期369-372,共4页杨广华 毛陆虹 黄春红 王伟 郭维廉 
国家自然科学基金(60536030;60676038);天津市基础研究重点项目(06YFJZJC00200;08JCZDJC24100)资助项目
采用0.35μm双栅标准CMOS工艺最新设计和制备了叉指型SiLED发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成Sipn结LED。观察了SiLED发光显微图形及实际器件的版图,并在对器件进行了正、反向I-V特性测试、光功...
关键词：硅 发光器件 标准CMOS工艺 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部